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 量子点发光二极管(QLED) 因非常窄的电致光谱，能实现极高的色纯度及广色域，可溶液法制备轻薄、柔性器件等优势，在印刷显示领域备受关注。但是，当前喷墨打印的多层器件由于印刷制程中的咖啡环效应、墨水对下层薄膜的侵蚀作用等导致印刷膜层与界面质量低下，喷墨打印器件外量子效率最高记录仅为 3% 左右，远低于旋涂器件性能。

据报道，中科院苏州纳米所印刷电子中心苏文明研究团队一直致力于印刷显示产业应用需求的关键材料与墨水配方研究，开发了系列交连型小分子传输材料，以解决印刷 OLED/QLED 中存在的层间互溶问题。团队聚焦于小分子前驱体体系，不仅具有完全确定的分子结构，不会出现聚合物存在的批次间的差异问题，而且其具有高的溶解度，适合于喷墨墨水调配；打印成膜后，再通过退火处理产生键间交连，形成有近 100% 的抗溶剂性的传输层，能很好的解决印刷多层 OLED 中上层溶剂对下层的侵蚀问题，并取得了系列研究进展（ European Journal of Organic Chemistry 2016, 2016 (22), 3737-3747 ； A CS Photonics 2017, 4 (3), 449-453 ； ACS A pplied M aterials & I nterfaces 2017, 9 (44), 38716-38727 ； ACS A pplied M aterials & I nterfaces 2017, 9 (19), 16351-16359. 等）。

镉基 QLED 作为当前印刷显示产业发展的主流方向，其面临的一个重要问题是缺少合适的可印刷、能级匹配的空穴传输材料（ HTM ），目前使用的传统的聚合物空穴传输材料（如 PVK 、 TFB 或 Poly-TPD ）抗溶剂性能差，空穴迁移率低或 HTL/QDs 界面空穴注入势垒过高（大于 1eV ）；为此苏文明研究团队受广东聚华 印刷显示技术有限公司 （ TCL 旗下， 工信部批准 的 国家印刷及柔性显示创新中心 ， 2 019 年实现了全球首款 3 1 寸 4K 印刷 QLED 显示屏样机）技术委托开发印刷 QLED 显示用高性能 HTL 材料。

最近，苏文明研究团队设计合成了具有平面型分子结构、 HOMO 能级高达 6.2 eV 、迁移率优于 PVK 的交连型小分子空穴传输材料 CBP-V （如图 1 所示），交连后具有近 1 00 % 的抗溶剂侵蚀能力，同时 7 0 组统计数据表明薄膜厚度相比于交连前收缩了 22% （如图 2 所示），大幅提高了薄膜致密性，器件漏电流降低了一个数量级， HTL 薄膜在空气中也具有很高的稳定性。把 CBP-V 用于红光 QLED 器件并与 PVK 进行对比，基于 CBP-V 旋涂器件的最大外部量子效率（ EQE ）为 15.0 ％，远优于基于 PVK 制备的器件；近 3 0 组器件表明效率重复性非常高，最大相对偏差不超过 3% 。更加重要的是，在大气中喷墨打印双层（ CBP-V/QDs ）的红光 QLED 最大外量子效率达到 11.6% ，相比已 报道 的喷墨打印 QLED 器件实现了大幅的提升，同时达到对比旋涂器件性能（外量子效率 12.6% ）的 92% 。