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 石墨烯纳米带（GNR）是一种准一维的石墨烯纳米结构，根据结构不同可表现出准金属或半导体特性。该特性取决于GNR的手性，包括宽度、晶格取向和边缘结构。根据不同的边缘结构，GNR可分为“锯齿型”（ZZ）和“扶手椅型”（AC）。GNR具有高迁移率和载流能力，且由于量子限域和边缘效应，其能够开启带隙。该特性使GNR有望成为包括纳米尺度场效应晶体管、自旋电子器件和片内互连线在内的候选材料。但在绝缘衬底表面，可控地制备具有边缘特异性的亚5纳米宽的GNR仍是难题。

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员王浩敏团队首次在六角氮化硼（h-BN）表面制备出手性可控的GNR并进行输运性质研究。相关研究成果以Towards Chirality Control of Graphene Nanoribbons Embedded in Hexagonal Boron Nitride为题，在线发表在《自然-材料》（Nature Materials）上。

h-BN是一种具有优异化学和热稳定性的宽带隙二维材料，其具有六角蜂窝网状晶体结构和原子级平整的表面，不存在表面悬挂键和陷阱电荷，是可保持GNR本征电学性质的理想衬底。

此前，王浩敏团队通过引入硅烷进行气相催化，在h-BN表面实现石墨烯晶畴的快速生长（Nat. Commun. 6，6499 (2015)）和边界调控（Nanoscale，9，11475(2017)）；首次通过采用h-BN沟槽作为生长模板，实现取向GNR的可控生长，开启带隙（Nat. Commun. 8，14703 (2017)）。上述研究为在h-BN衬底上制备亚5纳米宽的手性可控的GNR奠定实验基础。

图1.嵌入h-BN中手性可控的GNR制备方法

研究人员利用不同金属纳米颗粒在h-BN表面刻蚀出边缘平直且沿特定取向（ZZ和AC）的具有单原子层厚度的沟槽，通过化学气相沉积法在沟槽中制备出宽度小于5纳米的高质量取向可控GNR。研究人员与维也纳大学教授Jannik Meyer课题组合作，借助扫描透射电子显微镜，揭示石墨烯和h-BN边界处的面内外延生长方式，制备得到的GNR边缘原子级平整。

进一步的电输运测量结果表明，所有亚5纳米宽度的ZGNR均显示出大于0.4eV的带隙，而窄的AGNR的带隙随宽度变化较大。由带隙较大的GNR制成的晶体管在室温下的开关比大于105，载流子迁移率高于1500cm2 V-1 s-1。此外，在8-10纳米宽的ZGNR的转移曲线中观察到明显的电导峰，而在大多数AGNR中未观测到。GNR的磁输运研究表明，ZGNR具有较小磁导，而AGNR具有更高磁导值。

该研究首次将手性可控的GNR面内集成在h-BN晶格中，是面向开发具有原子层厚度的高性能集成电路迈出的重要一步，为实现操控和堆垛具有极薄厚度的复杂纳米集成电路提供新途径。

该研究工作的第一单位为上海微系统所，上海微系统所博士生王慧山和陈令修、维也纳大学博士Kenan Elibol、华中科技大学贺立为论文的共同第一作者，王浩敏和Jannik Meyer为论文通讯作者。研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金面上项目、中科院战略性先导科技专项（B类）和上海市自然科学基金的资助。

图2.嵌入h-BN的特定取向纳米沟槽和不同手性GNR