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　　这是国产碳化硅加速融入国际供应链体系的一个重要标志性事件。英飞凌是国际著名的半导体公司，在功率半导体市场占有率国际第一。近年来，英飞凌公司不断加强其SiC制造能力，力争在2030年达成30%全球SiC市场份额。在过去几年，英飞凌一直在与全球碳化硅材料主要供应商纷纷签订长期供货协议。

　　英飞凌科技首席采购官Angelique van der Burg称，英飞凌和天科合达所签订的协议将有助于保证整个供应链的稳定，同时满足中国市场对用于汽车、太阳能和电动汽车充电应用及储能系统的SiC半导体产品不断增长的需求，并将推动新兴半导体材料SiC的快速发展。此外，天科合达还将助力英飞凌向8英寸晶圆过渡。

　　天科合达CEO杨建表示，此次双方合作协议的签订，是英飞凌对于国产碳化硅产品质量的充分肯定，也是英飞凌完善供应链建设的一次关键选择。英飞凌位于马来西亚居林的碳化硅工厂计划于2024年投产，天科合达将有效保证该厂的碳化硅晶圆供应。

　　“国际碳化硅器件厂商与材料厂商签订长期合约，一直是普遍做法，英飞凌锁定天科合达的部分产能，既有利于推动天科合达技术进步，也巩固了英飞凌的供应链系统，是一个双赢的选择。”对于此次签约，中科院物理研究所碳化硅团队负责人、天科合达首席科学家陈小龙评价道。

天科合达CMP抛光车间-工程师手拿6和8英寸衬底正在技术讨论

　　此外，陈小龙还在谈起就国产碳化硅的重要优势时指出，碳化硅是引领第三代半导体产业发展的重要材料，应用前景广阔，能大大助力于“双碳”战略的实施。

　　原因在于，碳化硅属于第三代半导体材料，和第一代以硅为主、第二代以砷化镓为主的半导体材料相比，具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、导热性能等优势，特别适合于做大功率、耐高温、耐高压的半导体器件。

　　“比如电动汽车应用碳化硅器件做逆变器、变压器，甚至是车载充电桩，可以做得体积小，重量轻，这样提高电动汽车的续航里程，同时转换效率高，能够有效节能。”陈小龙举例说，在光伏逆变器和储能逆变器领域，碳化硅器件能提高电能利用率，大大降低能耗损失。未来，碳化硅器件将会覆盖更高电压等级器件，可应用于轨道交通和智能电网等领域。碳化硅功率器件导通电阻底，开关频率高，能够有效降低系统能耗，达到节能减排的目的，是为“双碳”战略服务的重要材料。

　　谈起我国的碳化硅技术发展，陈小龙表示，我国碳化硅技术起步较晚，天科合达是中科院物理研究所产学研合作成功的典型案例，一直在推动着国内碳化硅技术进步。

　　“碳化硅(SiC)晶体生长极其困难，上世纪90年代只有少数发达国家掌握SiC晶体生长和加工技术，我国起步较晚。为推动SiC晶体国产化，避免我国宽禁带半导体产业被‘卡脖子’，中科院物理研究所团队从1999年开始，从基础研究到应用研究，自主研发突破了从生长设备到高质量SiC晶体生长和加工等关键技术。”陈小龙介绍，经过20多年的努力，团队形成了具有自主知识产权的完整技术路线，进而推动国内第一家SiC晶体产业化公司北京天科合达成立。天科合达不断发展壮大，取得了良好的经济和社会效益，带动了整个产业链快速发展。

　　此外，陈小龙还透露，目前中科院物理所研发团队还在关注碳化硅液相法晶体生长技术，希望基础研究上更进一步，为其产业化发展奠定基础。

　　另据记者了解，天科合达于2006年成立，成立之初的主要技术源自中科院物理研究所。近年来，伴随着“双碳”战略的深入实施以及国家对第三代半导体的大力支持，以新能源汽车、光伏风电、储能设施、轨道交通、5G通讯等为主要应用的碳化硅市场快速扩容。以天科合达、天岳先进、烁科晶体等为代表的国内碳化硅材料企业迎来快速发展的时机。天科合达在导电衬底领域尤为出色，占据了国内一半以上的市场份额，2021年国际市场占有率排名第四，在产品良率方面也处于行业领先地位。并获得国家政策基金和产业基金的大力支持，还获得了国家集成电路产业投资基金、哈勃科技投资基金、比亚迪、宁德时代、润科基金等的投资支持。